igbt饱和压降是什么
更新时间： 2026-01-14 08:17:13
igbt饱和压降是在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料），IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降。
饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标，在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流，Vce会急剧上升，一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右，IGBT就会损坏。
一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降，来实现IGBT过流保护的。
igbt饱和压降是什么 相关文章
上一篇：4r照片多大 生活小常识
下一篇：联想电脑主机滴滴声三短一长
其他相关资讯
天气预报导航
天气资讯
更多 >>